我经常碰到很多的设计师咨询我一个问题；说我们目前碰到EMI问题根据您的EMI滤波器设计法则 确实解决了我们的EMI－传导问题；但是还是经常会出现30MHZ－80MHZ 特别是30MHZ的EMI－辐射问题；有时还兼而有之。
朋友们问的问题非常好！如果不是有很多年的开关电源设计经验和对EMI的了解，一般还没有人细致去研究；如果30MHZ左右对大多数的设计来说有很高几率出现那这个30MHZ的频率一定是由器件寄生参数及回路的谐振而产生，如果是谐波分量的F＝1／（ЛTr）的机制出现几率就会不被关注了。
注意：
30MHZ以后随着频率的升高差模成分呈递减趋势；共模成分呈递增趋势。
基本电路结构1
基本电路结构2
我先来分析计算上面的基本电路结构进行＝ 30MHZ的谐振参数理论计算＆同时注意目前开关MOS的寄生电容参数。（请注意使用的开关MOS－DS）
通过我下面的计算数据我们就能得到答案。
30MHZ的谐振参数分析1
30MHZ的谐振参数分析2
30MHZ的谐振参数分析3
30MHZ的谐振参数分析4
请运用上面的参数进行递推 同时查看使用的开关MOS的电容参数。
通过上面的谐振参数的分析：
对一定功率等级的变压器电感设计；
30MHZ相当于3－5uH的漏感 与 6－10PF的开关管的结电容的谐振。
PCB环路的设计；
30MHZ相当于45－50nH的走线电感与开关管VDS的输出电容600PF－620PF的谐振。
由此可以得出：
开关电源为什么／EMI－30MHZ前后超标几率高的问题，目前我们使用的开关MOS的寄生参数（器件选择）；开关管采样回路PCB走线的长度（1mm布线1mm走线近似1nH）都不知不觉的落到我们的谐振频率30MHZ左右，并且是包络性超标；因此请大家关注，30MHZ是单点的超标是时钟的可能性就比较大。