1.测试原理图
说明调测待机功耗时=与下列参数有关:系统功率接近75W设计!
A.VCC绕组空载的最低电压,辅助绕组的限流电阻(绕组端)决定IC的空载电压过低IC-HV会启动影响待机功耗,过高负载电阻会消耗功耗,推荐10V-VDD;
B.注意TL431的补偿参数的影响
C.PC817B/A: 考虑光耦的电流传输比问题
D.RCD吸收回路中;电容C=2200PF常用,C略大会增大待机功耗(比如4700PF)
E.MOS管的限流功率电阻:取值要求90VAC输入时 1.3倍的过载保护设计!
最后一项会决定待机的脉冲的间隔时间空载的间隔时间>10mS(基本要求)
注意检查待机功耗时;25KHZ的的脉冲数要小于5根 空载间隔时间>10mS
2根脉冲就将待机调到极限!12V输出带10mA负载间隔时间>5mS(基本要求)
2.实际的数据测试参考(TL431及光耦设计电路标准化)保证可靠性前提!!
A.RCD吸收电路C=2200PF 电阻R=100K/2W
CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC) 5根脉冲;间隔时间14.58Ms
B.RCD吸收电路C=4700PF 电阻R=100K/2W
CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC) 5根脉冲;间隔时间14.38Ms